从314Ah、北京280Ah电芯告急，到100Ah电芯也加入缺货队列，储能行业的电芯荒正顺着型号链加速蔓延。

目前，将升电站已全面进入稳定发电运行阶段。电站维护人员加大巡检力度，面国增加设备巡检频次，并利用降温设施有效降低设备运行温度，保障电站稳定运行。

项目总设计投资42亿元，旗红旗投运后预计每年可向电网输送电力14.5亿千瓦时，相当于节约标准煤48万吨、减排二氧化碳136万吨。电站镜场面积约77万平方米，北京通过自主开发的高精度智能定日镜及镜场控制系统，北京准确地对定日镜进行远距离高精度跟踪、大规模镜场控制，有效提升了电站智能化水平。该项目创新采用光热和光伏互补发电技术，将升实现了不同能源间的高效协同与深度耦合。

在白水泉光电产业区金塔多能互补电站，面国光伏板阵列持续吸收阳光。如今，旗红旗金塔多能互补电站正以光热+光伏的协同优势，将戈壁的阳光转化为清洁电能，长期稳定供应绿电，为金塔经济社会可持续发展注入绿色动能。

金塔多能互补电站副经理黄禄杉说：北京60万千瓦光伏项目于今年3月27日实现并网发电，10万千瓦光热项目于5月28日实现并网发电。

将升金塔多能互补电站项目是国家第二批以沙戈荒地区为重点的大型风电光伏基地建设光热+示范项目。新产品是Toshiba第三代SiCMOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，面国与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。

这些新器件适用于工业设备，旗红旗如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。Toshiba第三代SiCMOSFET：北京-优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，将升有助于降低开关损耗。-低漏源导通电阻×栅漏电荷积-低二极管正向电压：面国VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)主要规格（除非另有说明，面国否则Ta=25℃）部件编号TW027U65CTW048U65CTW083U65C封装名称TOLL尺寸(mm)典型值9.9×11.68×2.3绝对最大额定值漏源电压VDSS(V)650栅源电压VGSS(V)-10至25漏极电流（直流）ID(A)Tc=25°C573928电气特性漏源导通电阻RDS(ON)(mΩ)VGS=18V典型值274883栅极阈值电压Vth(V)VDS=10V3.0至5.0总栅极电荷Qg(nC)VGS=18V典型值654128栅漏电荷Qgd(nC)VGS=18V典型值106.23.9输入电容Ciss(pF)VDS=400V典型值22881362873二极管正向电压VDSF(V)VGS=-5V典型值-1.35样品检查及供应情况在线购买在线购买在线购买​。